2011-№1(30) Статья 12

Зельцер И.А., Моос Е.Н

Трехкристальная рентгеновская дифрактометрия тонких кристаллических слоев кремния и арсенида галлия. C. 136- 159

УДК 592:539. 2:537.533.2

Приведены результаты экспериментальных исследований кремния и арсенида галлия после различных технологических обработок, таких, как химико-механи-ческая шлифовка, химическое и ионное травление, ионная имплантация, эпитаксия. Показана высокая чувствительность метода трехкристальной рентгеновской дифрактометрии к нарушениям поверхностной структуры полупроводниковых кристаллов.

имплантация, кривая рентгеновского отражения, межплоскостное расстояние, трехкристальный рентгеновский спектрометр, эпитаксия.

Библиография:

1. Зельцер, И.А. Трехкристальная рентгеновская дифрактометрия в исследовании тонких кристаллических слоев [Текст]/ И.А. Зельцер, М.В. Ковальчук, Р.М. Имамов, Р.С. Сеничкина// Электронная промышленность. – 1982. – Вып. 10–11. – С. 63–68.

2. Зельцер, И.А. Субатомная диагностика квазидвумерных структур в методе стоячих рентгеновских волн [Текст]: моногр./ И.А. Зельцер, Е.Н. Моос. – Рязань: Интермет, 2010. – Ч. 2. – 273 с.