2012-№2(35) Статья 14

О.А. Милованова, Н.Б. Рыбин, В.Г. Литвинов

Исследование разрыва зоны проводимости в наногетероструктурах ZnS_xSe_1–x/Zn_1–yMg_yS_zSe_1–z с квантовыми ямами. C.161–171

УДК 621.315.592

В статье проведен анализ экспериментальных данных, полученных методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней для гетероструктур первого типа с квантовыми ямами ZnS_xSe_1–x/Zn_1–yMg_yS_zSe_1–z. На основе анализа экспериментальных данных рассчитаны величины разрыва разрешенных энергетических зон для ZnS_xSe_1–x/Zn_1–yMg_yS_zSe_1–z.

гетероструктура, квантовая яма, зонная диаграмма, релаксационная спектроскопия глубоких уровней.

Библиография:

1. Берман, Л.С. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках [Текст]/ Л.С. Берман, А.А. Лебедев. – Л.: Наука, 1981. – 176 с.

2. Денисов, А.А. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней [Текст]/ А.А. Денисов, В.Н. Лактюшкин, Ю.Г. Садофьев// Обзоры по электронной технике. – 1985. – Сер. 7. – Вып. 15/1141. – 52 с.

3. Казаков, И.П. Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно–лучевой трубки в синей области спектра [Текст]/ И.П. Казаков [и др.]// Квантовая электроника. – 2007. – Т. 37. – № 9. – С. 857–862.

4. Козловский, В.И. Электрофизические свойства и катодолюминесценция структур ZnSe/ZnMgSSe [Текст]/ В.И. Козловский [и др.]// Вестник Рязанской радиотехнической академии. – 2005. – Вып. 16. – С. 79–84.

5. Литвинов, В.Г. Исследование электрофизических свойств ZnSe/ZnMgSSe наноструктуры методами катодолюминесценции и релаксационной спектроскопии глубоких уровней совместно с атомно–силовой микроскопией [Текст]/ В.Г. Литвинов, О.А. Милованова// Сб. тр. II Всероссийской школы–семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноматериалы». – Рязань: РГРТУ, 2009. – С. 115–118.

6. Basov, N.G. Laser cathode–ray tubes using multilayer heterostructures [Text]/ N.G. Basov [et al.]// Laser Physics. – 1996. – Vol. 6. – P. 608–611.

7. Litvinov, V.G. Deep–level transient spectroscopy and cathodoluminescence of the CdSe/ZnSe QD structures grown on GaAs (100) by MBE [Text]/ V.G. Litvinov, V.I. Kozlovsky, Yu.G. Sadofyev// Phys. Stat. Sol. (b). – 2002. – Vol. 229. – N 1. – P. 513–517.