2012-№3(36) Статья 13

Трегулов В.В., Степанов В.А.

Исследование механизмов проводимости гетероструктур CdS/Si(p), изготовленных методом гидрохимического осаждения сульфида кадмия. C. 144–150

УДК 621.383.51

Приведены результаты исследования вольт–амперных характеристик и температурных зависимостей прямого и обратного тока гетероструктур CdS/Si(p), изготовленных с помощью технологии гидрохимического осаждения сульфида кадмия. Отмечается, что проводимость гетероструктур определяется процессами генерации–рекомбинации в области пространственного заряда.

вольт–амперная характеристика, гетероструктура, кремний, контактная разность потенциалов, область пространственного заряда, поверхностные состояния, рекомбинация, сульфид кадмия, фотоэлектрический преобразователь.

Библиография:

1. Трегулов, В.В. Исследование фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) [Текст]// Вестник ТГТУ. – 2010. – Т. 16. – № 4. – С. 892–896.

2. Фаренбух, А. Солнечные элементы: теория и эксперимент [Текст]: пер. с англ./ А. Фаренбух, Р. Бьюб. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 280 с.

3. Шарма, Б.Л. Полупроводниковые гетеропереходы [Текст]: пер. с англ./ Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. – М.: Сов. радио, 1979. – 232 с.