2010-№4(29) Статья 13

Зельцер И.А., Моос Е.Н.

Структура кристаллов кремния после имплантации ионами бора, мышьяка, гелия, фосфора, аргона и азота. C.117-133

УДК 592:539. 2:537.533.2

Приведены результаты экспериментальных исследований структуры кристаллов кремния после имплантации ионами бора, мышьяка, гелия, фосфора, аргона и азота. Показана высокая чувствительность метода трехкристальной рентгеновской дифрактометрии к нарушениям поверхностной структуры полупроводниковых кристаллов.

имплантация, кривая рентгеновского отражения, межплоскостное расстояние, трехкристальный рентгеновский спектрометр.

Библиография:

1. Зельцер, И.А. Трехкристальная рентгеновская дифрактометрия в исследовании тонких кристаллических слоев [Текст] / И.А. Зельцер [и др.] // Электронная промышленность. – 1982. – Вып. 10–11. – C. 63–68.

2. Рейви, К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии [Текст]. – М.: Мир, 1984. – 320 c.

3. Риссел, Х. Ионная имплантация [Текст] / Х. Риссел, И. Руге. – М.: Наука, 1983. – 360 с.

4. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники [Текст] // Зарубежная электронная техника. – 1983. – № 11. – C. 74–79.