2010-№3(28) Статья 18

Алмазов Д.В., Алпатов А.В., Воробьёв Ю.В., Кострюков С.А., Мишустин В.Г.

Исследование барьерных структур на основе наноструктурированных неупорядоченных полупроводников. С.146-154

УДК 621.315.592

Исследуются контактные явления в барьерных структурах и фотоэлектрических преобразователях на основе наноструктурированных неупорядоченных полупроводников. Эффект Стеблера – Вронского приводит не только к ухудшению транспортных свойств полупроводника, но и к перераспределению контактного поля и ухудшению собирания фотогенерированных носителей. Таким образом, деградация приборов обусловлена не только возникновением фотоиндуцированных дефектов, но и их влиянием на контактные явления в наноструктурированных неупорядоченных полупроводниках.

барьерные структуры, контактные явления, наноструктурированные неупорядоченные полупроводники, модифицированный времяпролетный метод.

Библиография:

1. Авачёв, А.П. Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных нелегированных полупроводниках [Текст]: патент РФ № 2392688 / А.П. Авачёв [и др.]; заявитель и патентообладатель Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет – № 2009118861/28; заявл. 20.05.2009; опубл. 20.06.2010.

2. Вихров, С.П. Коэффициент собирания фотогенерированных носителей заряда в тонкопленочных структурах на основе неупорядоченных полупроводников [Текст] / С.П. Вихров [и др.] // Аморфные и микрокристаллически полупроводники: сб. тр. V Междунар. конф. – СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2006. – С. 165–166.

3. Вихров, С.П. Разработка фундаментальных основ времяпролетного метода исследования некристаллических полупроводников [Текст]: отчет о НИР 2-05Г / С.П. Вихров [и др.]; рук. С.П. Вихров; РГРТУ. – Рязань, 2007. – 52 с. – № ГР 01200501803.

4. Вихров, С.П. Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках [Текст] / С.П. Вихров [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2005. – Т. 39. – Вып. 10. – С. 1189–1194.

5. Мишустин, В.Г. Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников [Текст]: дис. … канд. физ.-мат. наук. – Рязань, 2008. – 185 с.

6. Уточкин, И.Г. Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе a-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда [Текст]: дис. … канд. физ.-мат. наук. – Рязань, 2005. – 171 с.

7. Чопра, К. Тонкопленочные солнечные элементы [Текст] / К. Чопра, С. Дас. –
М.: Мир, 1986. – 440 с.

8. Guha, S. High-Efficiency Amorphous Silicon Alloy Based Solar Cells and Modules [Text] / S. Guha, J. Yang // Final Technical Progress Report / United Solar Ovonic Corporation. – Troy (Michigan), 2005. – 130 p.

9. Wronski, C.R. Intrinsic and light induced gap states in a-Si:H materials and solar cells – effects of microstructure [Text] / C.R. Wronski [et al.] // Thin Solid Films. – 2004. –
N 451–452. – P. 470–475.

10. Wyrsch, N. Electric field profile in μc-Si:H p-i-n devices [Text] / N. Wyrsch [et al.] // Proc. of the 11th European PVSEC. – Montreux, 1992. – P. 742–747.

11. Yue, G. Metastability in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Solar Cells [Text] / G. Yue [et al.] // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 2006. – Vol. 910. – P. A-02-01 – A-02-12.